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產(chǎn)品中心
InGaAs雪崩光電二極管

雪崩光電二極管(APD)芯片

lnGaAs APD可大大降低暗電流 該款I(lǐng)nGaAs APD(雪崩光電二極管)通過(guò)使用新的器件結(jié)構(gòu)和加工處理流程,和現(xiàn)有產(chǎn)品相比,大幅度降低了暗電流。G14858-0020AA可以用于距離測(cè)量,微弱光檢測(cè)等。
主要特征 
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產(chǎn)品特點(diǎn)
﹒低暗電流
典型應(yīng)用
﹒低電容
產(chǎn)品特征
·高靈敏度
標(biāo)準(zhǔn)模塊光學(xué)參數(shù)
Model G14858-0020AA
象元數(shù) 1
感光面積 p0.2 mm
封裝 Metal
封裝類型 TO-18
光譜響應(yīng)范圍 950 to 1700 nm
峰值波長(zhǎng)(典型值) 1550 nm
靈敏度(典型值) 0.8 A/W
暗電流(最大值) 50 nA
截止頻率(典型值) 900 MHz
結(jié)電容(典型值) 2 pF
擊穿電壓(典型值) 65 V
擊穿電壓溫度系數(shù)(典型值) 0.1 V/°C
測(cè)試條件 Ta25℃ Photosensitivity: 入1.55 um M1